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terminal blocks of manufacturer-Shining E&E Industrial

 

享曆工業股份有限公司

  Terminal Blocks Manufacturer 
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English 中文翻譯 英文縮寫

A

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Active region 作用區 (集極特性曲線)
在集極特性曲線的中央水平部分,此時電晶體的射極接面為順向偏壓,而集極接面為逆向偏壓,集極電流
與基極電流 成線性關係,是電晶體作線性放大的工作區域。
 
Amplifier 放大器  
Amplitude distortion 波幅失真
放大器對於輸入信號的正、負半週產生不同的放大倍數,導致輸出信號的波形改變,或由於波幅過大,超出放大器線性放大的範圍,使得輸出波形的波峰部份有被削平的截波現象。
 
Analog 模擬, 類比  
Analog to Digital 模擬-數位 轉換 A/D
Analog to Digital Converter 模數轉換器 ADC
Automatic gain control 自動增益控制 AGC

B

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Barrier potential 障壁電位
又稱內建電壓(Built-in voltage),為空乏區形成後,PN接面兩側之離子區產生的電位差。PN接面的障壁電位與接面兩側的摻雜濃度有關,在室溫下,矽半導體的障壁電位約為0.7V,鍺半導體約為0.3V。
 
Bias 偏置
PN結上外加一定的電壓,稱為偏置。在PN結上加正向電壓,稱為正向偏置,簡稱正偏(forward bias);在PN結上加反向電壓,稱為反向偏置,簡稱反偏(reverse bias)。
 
Bipolar transistor 雙極性電晶體
其電流傳導是藉由自由電子與電洞兩種不同極性載子的運動所形成。
 
Bipolar junction transistor
 -
Common emitter 共射極
 -
Common base 共基極
 -
Common collector 共集極
雙極性接面電晶體, 雙極性電晶體
具有兩種載流子(自由電子和空穴)參與導電,並有三個電極的電流控制型器件。

基本的雙極性電晶體,有三個接腳分別稱為射極(
Emitter)、集極(Collector)與基極(Base),利用基極電流來控制導通電流的大小,是一種電流控制裝置
BJT
Common emitter 共射極
BJT放大器的一種組態,輸入與輸出的共用端(接地)為射極。
 
Common base 共基極
BJT放大器的一種組態,輸入與輸出的共用端(接地)為基極。
 
Common collector 共集極
BJT放大器的一種組態,輸入與輸出的共用端(接地)為集極。
 
Bridge rectifier circuit 橋式整流電路
由一變壓器與四個二極體所組成,為全波整流電路。
 

C

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Capacitor-input filter 電容輸入濾波器
通常使用於負載較輕時,即負載取用電流較小的情況;常見的電容輸入型濾波器有電容濾波器、RC濾波器與 型濾波器等。
 
Carrier 載流子
在半導體中,將能移動的電荷統稱為載流子,包括電子和空穴。
 
Carrier-to-Noise Ratio 載噪比 CNR
Center-tapped rectifier circuit 中央抽頭式整流電路
由一中央抽頭之變壓器與兩個二極體所組成,為全波整流電路。
 
Chip
 - Die
晶片
 - 未封裝的晶片稱之為die
 
Circuit
 -
Filter circuit
 -
Integrated circuit
 -
Rectifier circuit
 -
Regulator circuit
 -
Full-wave-rectifier
Circuit

 -
Half-wave-rectifier Circuit
 -
Coupling circuit
電路






 
 
Circuit model 電路圖模型
電路圖模型是利用已知的元件及電源,來表示複雜電路兩端所呈現的特性,一方面它保有原電路的特性,另一方面又可幫助我們更容易分析及瞭解複雜的電路。
 
Clamping 箝位
將一直流準位加在交流信號上,使得交流信號在這個準位上變化。
 
Clipping 截波
將輸入信號截掉某一部份,使得輸出信號低於或高於某一信號電壓。
 
Collector Characteristic
 -
Active region 作用區
 -
Saturation region 飽和區
 -
Cut-off region 截止區
 - Linear–Active Region 線性放大區
集極特性曲線
集極
-射極電壓 與集極電流 的對應關係曲線。

 
 
Compliance 合格, 符合 RoHS Compliance
Conductor
 - nonconductor
導體
容易傳導電流的材料稱為導體,如金屬、電解液等。
 - 絕緣體
幾乎不傳導電流的材料稱為絕緣體,如橡膠、陶瓷、石英、塑膠等
 
Coupling circuit 耦合電路
在多級放大電路系統中,放大器的級與級之間必須有一個適當的電路連接,才能將前一級的輸出信號傳輸到次一級的輸入端,而這種級與級之間的信號傳輸便稱為耦合或交連,這樣的連接電路便稱為耦合電路。
 
Covalent bonds 共價鍵
矽或鍺晶體中原子的鍵結方式,而結合後的原子,其價電子被束縛在共價鍵中,每個價電子不再只屬於某個單一原子,而是成為相鄰的原子間所共同擁有。
 
Cut-off region 截止區 (集極特性曲線)
在基極電流為零的區域,此時電晶體的射極接面與集極接面均為逆向偏壓,但集極仍有少許的漏電流,電晶體的工作特性如同一打開的開關。
 
Cut-off region 截止區 (汲極特性曲線)
此區域內汲極電流
為零。
 

D

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Darlington circuit 達靈頓電路
由兩個共集極組態的電晶體直接耦合所組成,電路中以第一級放大器的輸出電流(射極電流)作為第二級放大器的輸入電流(基極電流),而後再以第二級放大器的射極作為信號輸出端。
 
DC load line 直流負載線
是描述電晶體工作時,其
- 特性圖中,電壓與電流關係的直線;實際上就是電路所有可能的工作點之組合。
 
Decibel gain 分貝增益
放大器的增益值往往很大,為了使用上的方便,利用對數運算的特性來縮小其數值,制定出以分貝為單位的表示法。
 
Depletion region 空乏區
PN接面兩側的正負離子區,在區域內沒有可以自由移動的載子存在。
 
Diffusion 擴散
P型半導體和N型半導體的交界處,由於多數載流子濃度的差別,載流子將從濃度較高的區域向濃度低的區域運動,多數載流子的這種運動稱為擴散。擴散和漂移產生方向相反的電流。
 
Diode
 - Light emitting diode
 - Tunnel diode
 - Varactor diode
 - Zener diode
 -
Ideal diode
二極體 ; 二極管
P型與N型結合後的半導體,其P型側為陽極(Anode), N型側為陰極(Cathode),稱為PN接面二極體(PN junction diode),簡稱二極體。二極體具有單向導通的特性。
 
 
Distortion 失真
輸出信號的波形未能完全複現輸入信號的波形的現象稱為失真。
 
Drain Characteristic
 -
Ohmic region 歐姆區
 -
Pinch-off voltage 夾止電壓
 -
Saturation region 飽和區
 -
Cut-off region 截止區
汲極特性曲線
汲極
-源極電壓 與汲極電流 的對應關係曲線。

 
 
Drift 漂移
在擴散產生的內電場作用下,少數載流子有規則的運動,稱為漂移運動,簡稱漂移。漂移和擴散產生方向相反的電流。
 

E

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Electron-hole pair 電子電洞對
共價鍵受到環境熱能的影響而斷裂,價電子脫離共價鍵而成為自由電子(
Free electron);同時,電子離開後會在價電帶上留下一帶有正電荷性質的空缺,即為電洞(Hole)。在室溫下,要破壞矽的共價鍵約需1.1eV,鍺則約為0.7eV。
 
Electronic 電子, 電子的  
Electronics 電子學
研究電荷在氣體中、在真空中、或在半導體中運動的科學;研究範圍包括所有與電子運動相關的裝置與技術。
 
Extrinsic semiconductor 外質半導體
在本質半導體中摻雜(
Doping)其它雜質元素的半導體。若摻雜的雜質為五價元素,如磷(P)、砷(As)、銻(Sb)等,則稱為N型半導體;若摻雜的雜質為三價元素,如硼(B)、鋁(A)、鎵(Ga)、銦(In)等,則稱為P型半導體。
 

F

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Feedback 回饋
把放大
電路的輸出量(電流或電壓)的一部分或全部,經過一定的電路(稱為回饋電路)送回輸入端和輸入信號相互作用的過程。亦即輸出量參與控制的過程。凡增強輸入信號作用的回饋稱正回饋(positive feedback);凡消弱輸入信號作用的回饋稱負反饋(negative feedback)。
 
Field-effect transistor 場效應電晶體
基本的單極性電晶體,有三個接腳分別稱為源極(Source)、汲極(Drain)與閘極(Gate),利用靜電場來控制導通電流的大小,是一種電壓控制裝置。
FET
Common source 共源極
FET放大器的一種組態,輸入與輸出的共用端(接地)為源極。
 
Common drain 共汲極
FET放大器的一種組態,輸入與輸出的共用端(接地)為汲極。
 
Common gate 共閘極
FET放大器的一種組態,輸入與輸出的共用端(接地)為閘極。
 
     
Filter
 -
low pass filter 低通濾波器
 - high pass filter
高通濾波器
 -
band pass filter 帶通濾波器
 -
band reject filter 帶(阻)拒濾波器
 - all pass
filter 全通濾波器
 - Active Filter 主動濾波器
 -
Passive Filter 被動/無源濾波器PF
 
濾波器
將交流電轉變為直流電的過程叫整流。將整流輸出的單向脈動電壓變換為脈動程度小的平滑直流電壓的過程稱為濾波。
擷取感測元件輸出之類比訊號時,常需使用「
濾波器(filter)」以擷取某特定頻率範圍之訊號,除去不必要之雜訊。
濾波器由各種電子元件組合電路而成,可分為被動
(passive)和主動(active)兩種。被動式濾波器包含有電阻、電感、電容等電子元件,功能僅在過濾雜訊;主動式濾波器除電阻、電感、電容外,還包含有電晶體或運算放大器,可放大濾波後之訊號(即具有增益),且由於使用獨立電源,信號源與負載電路隔離性較佳
 
Filter circuit 濾波電路
可將脈動直流電壓中不平穩的波動成份濾除。
 
Frequency distortion 頻率失真
不同頻率的輸入信號,經由放大器放大後產生不同的增益值。
 
Full-wave-rectifier Circuit 全波整流電路
可將整個週期的交流信號,化成單向的信號輸出,其中包括有中央抽頭式(center-tapped)整流電路、橋式(bridge)整流電路。
 

G

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Gain 增益
輸出信號的大小與輸入信號作比較所得到的比值。放大電路中比較重要的增益值有電壓增益(Voltage gain)、電流增益(Current gain)與功率增益(Power gain)等
工程上常用以10為底的對數表達,其單位為分貝(dB)。
 
     

H

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Half-wave-rectifier Circuit 半波整流電路
輸出信號波形只有原來輸入信號波形的一半週期,只用一個二極體便可達到這樣的作用。
 
Hole 空穴
電子掙脫共價鍵的束縛成為自由電子後所留下的空位稱為空穴。空穴的出現是半導體區別於導體的一個重要特點,通常可將空穴視為帶正電的粒子。
 

I

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Ideal diode 理想二極管
導通電壓為零以及導通電阻為零的二極管
 
Ideal operating amplifier 理想運算放大器  
Inductor Filter 電感輸入型濾波器
通常使用於負載較重時,即負載取用電流較大的情況;常見的電感輸入型濾波器有電感濾波器、LC濾波器與T型濾波器等。
 
Input
 -
noninverting input 同相輸入
 -
inverting input 反向輸入
 -
differential input 差分輸入
輸入
-
同相輸入: 輸入信號從同相輸入端加入
 - 反向輸入 : 輸入信號從反相輸入端加入
 - 差分輸入 : 輸入信號同時從反相輸入端和同相輸入端加入
 
Integrated circuit 積體電路
利用特定單一元素(如矽或鍺)做成完整電路,在一片小小的晶片中,就有相當於電晶體、電阻、電容等電子元件所組成功能完整的電路系統。
IC
Intrinsic semiconductor 本質半導體
由純矽或鍺所形成的半導體,其中不含其它雜質的存在。
 

J

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K

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L

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Light emitting diode 發光二極體
元件導通時可發光,若使用不同的製造材料,則可發出不同顏色的光,同常應用在數字顯示器、指示燈或電路的光源等方面。
LED
Linear–Active Region 線性放大區 (集極特性曲線)
在截止區以上,介於飽和區與擊穿區之間的區域為
放大區。在此區域內,特性曲線近似於一簇平行等距的水平線,Ic的變化量與IB的變量基本保持線性關係
 

M

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Micro Electro Mechanical System 微機電是一種將微電子技術與機械工程融合到一起的工業技術,結合半導體、機械、電子、電機、光學、材料、控制、物理、化學、生醫等多重技術領域的整合型微小化系統製造技術。它的操作範圍在微米(1μm=10-6m)範圍內,其應用範圍很廣,包括電子、資訊、通訊、生醫及半導體等相關產業 。現今的科技朝向輕薄短小方向前進,微機電已是各國公認二十一世紀的明星產業之一。常見的應用為感測器、致動器、加速度計、陀螺儀、微麥克風等。 而比它更小的,在奈米範圍的類似的技術被稱為奈機電系統NEMS MEMS
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor 金屬-氧化層-半導體-場效電晶體,簡稱金氧半場效電晶體,是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效電晶體(field-effect transistor)。MOSFET依照其「通道」的極性不同,可分為n-type與p-type的MOSFET,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。 MOSFET
     

N

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No Objection Letter
 <==> Notice of Objection
不反對通知書
 <==> 反對通知書
NOC
     

O

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Ohmic region 歐姆區 (汲極特性曲線)
此區域內電流
與電壓 的關係呈線性,場效電晶體的作用有如一個線性電阻,即電壓 與電流 間的關係遵守歐姆定律。
 
Operating Point 工作點
為直流負載線與基極電流
曲線的交點,相當於在某特定的電壓值 與電流值 下,電晶體所工作的點,又稱為靜態工作點(Quiescent Operating Point),簡稱為Q點。
 

P

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Peak inverse voltage 逆向峰值電壓
二極體所承受的最大輸入逆向電壓。
 
Personal fabric wrist strap 個人防靜電腕帶, 靜電消除腕帶  
Phase distortion 相位失真
不同頻率的輸入信號,經由放大器放大後產生不同的相位移。
 
Pinch-off voltage 夾止電壓 (汲極特性曲線)
當閘極
-源極電壓 為零時,開始造成汲極電流 維持固定時所對應的汲極-源極電壓
 
PN junction PN接面, PN介面
半導體的一側為P型半導體,另一側為N型半導體,介於P型與N型間即為PN接面。PN接面為各種半導體元件的基本構造。
由於載流子的擴散和漂移,在
P區和N區交界處的兩側形成一個空間電荷區(space-charge region),這個空間電荷區稱為PN結。PN結也稱為耗盡層或阻擋層。
 
     

Q

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R

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Radio Frequency Identification 無線辨識系統
係利用無線方式識別的一種元件,可取代現有的條碼接觸或固定式的識別方式。RFID係由 Reader 與 Transponder 兩部份所組成,其動作原理為由 Reader 發射一特定頻率之無線電波能量給Transponder,用以驅動 Transponder電路將內部之 ID Code送出,此時 Reader 便接收此ID Code。
RFID
Rectifying 整流
將交流信號轉換成單一方向的直流信號。將交流轉換成直流
 
Rectifier 整流器  
Rectifier circuit 整流電路  
Resistor 電阻, 電阻器 R, RES, ohm
Regulator circuit 電壓調整電路
可使輸出電壓維持穩定的輸出值。
 
Ripple 漣波
直流信號中
經濾波輸出電壓變化而不穩定的部份稱為漣波
 
Ripple factor 漣波因數
漣波高低起伏與輸出電壓的比例, 愈低愈好
RF
Ripple percentage 漣波百分率
用來描述直流電壓波幅的變化狀況,漣波百分率愈小表示直流電壓愈平穩。
 

S

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Saturation region 飽和區 (集極特性曲線)
在集極特性曲線的原點至膝點部分,此時電晶體的射極接面與集極接面均為順向偏壓,集極
-射極電壓 幾乎為零,電晶體的工作特性如同一閉合的開關。
 
Saturation region 飽和區 (汲極特性曲線)
此區域內電壓
持續增加,但是汲極電流 並不隨著增加幾乎保持定值。
 
Semiconductor
 -
Intrinsic semiconductor
 - Extrinsic semiconductor
 - N-type semiconductor
 - P-type semiconductor





 
半導體
是一種導電性介於超導體及絕緣體之間的元素,其導電能力隨外界條件發生顯著變化,一般規定電阻率在10的負3次方歐姆厘米和10的負9次方歐姆厘米之間。典型的半導體是以共價健結合為主的,以共價鍵結合的元素晶體矽和鍺,Ⅲ族和Ⅴ族元素組成的ⅢⅤ化合物,Ⅱ族和Ⅵ族元素組成的ⅡⅥ化合物,構成了目前大部分主要的半導體材料。常見的半導體材料為矽(Si)與鍺(Ge)及砷化鎵(GaAs)
N型半導體
在本質半導體中摻入微量五價元素(如磷(
P)、砷(As))的雜質後,自由電子成為多數載流子,而空穴成為少數載流子。這種主要依靠自由電子導電的雜質半導體稱為N型半導體。
P型半導體

在本質半導體中摻入微量三價元素(如硼(B)、銦(In))的雜質後,空穴成為多數載流子,而自由電子成為少數載流子。這種主要依靠空穴導電的雜質半導體稱為P型半導體。
 
Solar cell 太陽能晶片, 太陽能電池, 太陽能電池晶片  
Source follower 源極隨耦器
即共汲極放大器。
 
Surface
 - Surface Mount Device
表面
 - 表面黏著, 表面貼合, 表面貼裝

SMD
System-on-a-chip,
System-on-chip, system on chip
系統單晶片, 系統級晶片, 晶片系統, 系統晶片 SoC, SOC

T

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Thevenin's Theorem 戴維寧定理
對於任何複雜的網路系統,都可以用一個等效電壓源
串聯一個等效電阻器 來組成。
 
Threshold voltage 臨限電壓
使增強型
MOSFET導通所需的 電壓,此時閘極-源極間產生反轉層而形成通道。
 
Thyristor 晶閘管
又稱可控矽整流器(
SCR),是一種大功率的四層三端半導體器件,習慣叫做可控矽。後又衍生的器件如快速可控矽、雙向可控矽、逆導可控矽。所有這些器件統稱為晶體閘流管,簡稱晶閘管。通常所說的可控矽就是普通晶閘管,所有衍生器件則屬於特殊晶閘管。
SCR
Transfer characteristic curve 轉換特性曲線
又稱為互導曲線,是用來表示汲極電流
與閘極-源極電壓 間的關係曲線。
 
Transformer 變壓器
可將交流電源升壓或降壓。
 
Transistor
 -
Bipolar transistor
 -
Unipolar transistor
 -
Bipolar junction transistor
 -
Field-effect transistor
電晶體, 晶管體
為半導體材料所製成的電子元件,在電路中具有放大與開關的作用


 
Tunnel diode 透納二極體
雜質摻雜比例很高的二極體元件,使得空乏區變得很窄,電子容易穿透,通常應用在高頻交換電路、振盪電路與微波電路等。
 

U

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Unipolar transistor 單極性電晶體
其電流傳導只有自由電子或電洞其中一種載子的運動所形成。
 
     

V

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Vacuum tube 真空管
利用加熱燈絲放射電子,並控制這些電子的流量,使真空管具有電流控制與放大的功能
 
Varactor diode 變容二極體
外加電壓的變化可以改變本身電容量的大小,而成為一可變電容器,通常應用在諧調電路上,如電視或收音機的諧調器。
 
Voltage regulation 電壓調整率; 電壓變動率; 電壓調整
用來描述電源供應器接上負載後電壓改變的狀況,電壓調整率愈小表示電源供應器愈優良。
 
Voltage Regulator 電壓調整器 VR

W

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Wafer 晶圓片  
     

X

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Y

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Z

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Zener diode 稽納二極體, 穩壓管
工作在逆向崩潰電壓區時電壓維持穩定,通常應用在電源穩壓方面。
 
     

A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K  L  M  N  O  P  Q  R  S  T  U  V  W  X  Y  Z

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何謂 RFID ?

RFID 是「Radio Frequency Identification 」的縮寫,中文名稱為「無線辨識系統」。

係利用無線方式識別的一種元件,可取代現有的條碼接觸或固定式的識別方式。RFID係由 Reader 與 Transponder 兩部份所組成,其動作原理為由 Reader 發射一特定頻率之無線電波能量給Transponder,用以驅動 Transponder電路內部之 ID Code送出,此時 Reader 便接收此ID Code。

主要的優點在於在於免用電池、免接觸、安全性高、長壽命。
RFID的應用非常廣泛,目前典型應用有門禁管制、停車場管制、汽車晶片防盜器、生產線自動化、物料管理、自動倉儲、存貨控制、結帳系統、文件管理、入場券、動物晶片、醫療體系、軍事設備等等
依使用頻率可分為低頻(~134KHz)、高頻(13.56MHz)、超高頻(433MHz~930MHz),感應範圍從幾公分至10公尺或更長等。


何謂 Nanotech 奈米科技 ?

Nanotech 是「Nano Technology 」的縮寫,中文名稱為「奈米科技」。

奈米科技實際上並無統一的定義,一般說法係指物質在奈米尺寸下呈現出有別於巨觀尺度下的物理、化學或生物特性與現象。所謂奈米科技便是運用這方面的知識,在奈米尺寸等級的微小���界中操作、控制原子或分子組合成新的奈米尺度結構(奈米材料),以便展現新的機能與特性。以此為基礎,設計、製作、組裝成新的材料、器具或系統,使之產生全新功能,並加以利用的技術總稱。奈米科技的最終目標是依照需求,透過控制原子、分子在奈米尺度上表現出來的嶄新特性,加以組合並製造出具有特定功能的產品。

在奈米的領域下(1~100nm),許多物質的現象都將改變,例如質量變輕、表面積增高、表面曲度變大、熱導度或導電性也明顯變高等,因此也就衍生了許多新的應用。                             (資料來源: Yahoo奇摩知識+ 網友小井的分享)

1米 (1m) = 106 微米 = 109 奈米
1微米 (μm)=10-6
1奈米 (μm)=10-9
 


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